一種制造碳化硅晶體的裝置及制造碳化硅晶體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210102342.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114481317A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114481317A 申請公布日 2022-05-13
分類號 C30B27/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號小關(guān)（廠南區(qū)）4號樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種制造碳化硅晶體的裝置及制造碳化硅晶體的方法，該制造碳化硅晶體的裝置包括殼體、坩堝組件、籽晶組件、加熱件和石墨件，殼體限定出容納腔，坩堝組件包括石墨坩堝和設(shè)在石墨坩堝內(nèi)的非石墨坩堝，非石墨坩堝用于承載助溶劑溶液，籽晶組件可升降配合在殼體內(nèi)，且籽晶組件的一端伸入坩堝組件內(nèi)，籽晶組件用于承載碳化硅晶體，加熱件設(shè)在容納腔內(nèi)且環(huán)繞坩堝組件設(shè)置，石墨件可升降地配合在殼體內(nèi)，石墨件的一端浸入助溶劑溶液內(nèi)。該制造碳化硅晶體的裝置能夠降低碳化硅晶體的制造成本，延長純石墨坩堝的使用壽命。