一種模擬晶體的生長方法、晶體的生長方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210124257.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114411236A 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN114411236A 申請公布日 2022-04-29
分類號 C30B9/08（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B35/00（2006.01）I;G06F30/28（2020.01）I;G16C20/70（2019.01）I;G16C60/00（2019.01）I;G06F111/06（2020.01）N;G06F113/08（2020.01）N;G06F119/14（2020.01）N 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 初春
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號小關(guān)（廠南區(qū)）4號樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種模擬晶體的生長方法、晶體的生長方法及裝置。該模擬晶體的生長方法包括：建立晶體生長計算流體力學(xué)模型，其中，所述晶體生長計算流體力學(xué)模型的虛擬晶體生長環(huán)境模擬實際晶體生長環(huán)境；虛擬晶體每生長第一預(yù)設(shè)時間，根據(jù)虛擬晶體中至少一個生長界面的當(dāng)前形狀，對當(dāng)前時刻之前的長晶工藝參數(shù)進行調(diào)整；虛擬晶體每生長第一預(yù)設(shè)時間，將調(diào)整之后的長晶工藝參數(shù)作為所述虛擬晶體繼續(xù)生長的長晶工藝參數(shù)。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案實現(xiàn)了一種可以準確模擬晶體生長全程的情況，并且對于實際晶體生長的全過程的長晶工藝參數(shù)具有指導(dǎo)價值的模擬晶體的生長方法。