一種碳化硅晶體生長裝置及碳化硅晶體生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210102307.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114481293A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114481293A 申請公布日 2022-05-13
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B15/14（2006.01）I;C30B27/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號小關(guān)（廠南區(qū)）4號樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅晶體生長裝置及碳化硅晶體生長方法，該碳化硅晶體生長裝置包括殼體、石墨坩堝、籽晶組件和加熱件。殼體限定出容納腔，石墨坩堝設(shè)在容納腔內(nèi)，石墨坩堝用于容納助溶劑溶液，籽晶組件沿豎直方向可升降配合在殼體上，籽晶組件的一端伸入石墨坩堝內(nèi)，籽晶組件用于承載生長的碳化硅晶體，加熱件位于石墨坩堝的徑向外側(cè)：加熱件和石墨坩堝中的至少一個沿豎直方向可升降。該碳化硅晶體生長裝置，在生長過程中能夠維持助溶劑溶液的液面相對于加熱件的位置不變，維持助溶劑液面下方的溫度梯度恒定，從而增加結(jié)晶的穩(wěn)定性和一致性。