一種碳化硅多晶的制造裝置及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210112585.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114481325A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN114481325A 申請(qǐng)公布日 2022-05-13
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 100020北京市海淀區(qū)花園北路25號(hào)小關(guān)（廠南區(qū)）4號(hào)樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅多晶的制造裝置及方法，其屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，碳化硅多晶的制造裝置包括腔室、感應(yīng)線圈、石墨坩堝、晶桿及石墨托，感應(yīng)線圈設(shè)于所述腔室內(nèi)；石墨坩堝設(shè)于所述腔室內(nèi)，且所述石墨坩堝用于容置助溶劑，且所述石墨坩堝的底部?jī)?nèi)壁能生長(zhǎng)碳化硅多晶；所述晶桿的一端位于所述石墨坩堝內(nèi)，所述晶桿的另一端位于所述腔室外；石墨托固接于所述晶桿的一端，所述石墨托朝向所述石墨坩堝底壁的底面能生長(zhǎng)碳化硅多晶。本發(fā)明提供的碳化硅多晶的制造裝置及方法能夠用于生長(zhǎng)制造碳化硅多晶，具有較高的效率和較低的成本。