一種晶體生長氣氛的控制裝置及其控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210131896.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114351245A 公開（公告）日 2022-04-15
申請公布號 CN114351245A 申請公布日 2022-04-15
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導體科技有限責任公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 黃建祥
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號小關(guān)（廠南區(qū)）4號樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，公開一種晶體生長氣氛的控制裝置及其控制方法。其中晶體生長氣氛的控制裝置包括：晶體生長組件，其內(nèi)限定出反應腔；氣壓測量件，用于檢測反應腔內(nèi)的氣壓；氣體控制組件，與反應腔連通，氣體控制組件均包括用于設定通入反應腔的工藝氣體的氣體流量的氣體流量限定件；抽氣組件，與反應腔連通，抽氣組件能夠?qū)⒎磻粌?nèi)的氣體向外抽出，以使反應腔內(nèi)的氣壓位于預設氣壓范圍內(nèi)。本發(fā)明公開的晶體生長氣氛的控制裝置的抽氣組件能夠?qū)⒎磻粌?nèi)的氣體向外抽出，使得氣壓測量件檢測的反應腔內(nèi)的氣壓位于預設氣壓范圍內(nèi)，提升了晶體的生長質(zhì)量。