一種碳化硅晶體生長的控制方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210131936.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114481318A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114481318A 申請公布日 2022-05-13
分類號 C30B27/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號小關(guān)（廠南區(qū)）4號樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅晶體生長的控制方法及裝置，其屬于晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，碳化硅晶體生長的控制方法包括先控制籽晶靠近助熔劑移動，并浸入助熔劑，直至稱重機(jī)構(gòu)的測量值變化至第一設(shè)定值；控制所述籽晶遠(yuǎn)離所述助熔劑移動，直至所述稱重機(jī)構(gòu)的測量值由所述第一設(shè)定值增大至第二設(shè)定值；根據(jù)所述稱重機(jī)構(gòu)的測量值的變化計(jì)算生長的碳化硅晶體的生長直徑；根據(jù)所述碳化硅晶體的生長直徑調(diào)節(jié)所述籽晶遠(yuǎn)離所述助熔劑移動的速度。本發(fā)明能夠根據(jù)碳化硅晶體的生長情況控制籽晶的移動速度，降低籽晶移動過快或過慢的幾率，進(jìn)而保證生長的碳化硅晶體的品質(zhì)。