一種碳化硅復(fù)合基板的制造方法及制造裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210551153.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114717651A 公開（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114717651A 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號(hào)小關(guān)（廠南區(qū)）4號(hào)樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅復(fù)合基板的制造方法及制造裝置，所述制造方法包括如下步驟：在保護(hù)性氣氛中，使用含硅溶液交替生長單晶層與多晶層；切片，得到包括單晶層與多晶層的復(fù)合基板，復(fù)合基板中單晶層的數(shù)量與多晶層的數(shù)量相等；所述制造裝置適用于所述制造方法，通過本發(fā)明提供的制造方法制備碳化硅復(fù)合基板，由于采用單晶層與多晶層交替生長的方式，生長至一定厚度的時(shí)間遠(yuǎn)小于生長單一的單晶碳化硅，且通過切片即可得到復(fù)合基板，提高了碳化硅復(fù)合基板的制造效率，降低了碳化硅復(fù)合基板的生產(chǎn)成本。