低噪放大器及降低噪聲的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010101269.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111277229B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111277229B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03F1/26（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 張剛;黃鵬煒 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 奉加科技（上海）股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成麗杰 |
| 地址 | 201403上海市奉賢區(qū)嵐豐路1150號(hào)1幢6043室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施方式提供一種低噪放大器及降低噪聲的方法，低噪放大器包括：第一MOS管、第二MOS管、耦合變壓器；耦合變壓器至少包括第一輸入線(xiàn)圈、第二輸入線(xiàn)圈和輸出線(xiàn)圈；第一輸入線(xiàn)圈與輸出線(xiàn)圈間的匝數(shù)比為第二輸入線(xiàn)圈與輸出線(xiàn)圈間的匝數(shù)比的N倍，且耦合方向相反；第一MOS管的源極連接第二MOS管的柵極，用于接收輸入信號(hào)；第一MOS管的漏極連接第一輸入線(xiàn)圈，第二MOS管的漏極連接第二輸入線(xiàn)圈；其中，第二MOS管的有效跨導(dǎo)為第一MOS管的有效跨導(dǎo)的n倍，且N/n的比值滿(mǎn)足預(yù)設(shè)范圍。通過(guò)兩個(gè)MOS管器件及耦合變壓器的設(shè)計(jì)，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大，對(duì)噪聲信號(hào)按預(yù)設(shè)比例相互抵消，從而獲取較高的信噪比；且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，并不需要較高的成本。?? |
