一種提高碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池良率的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111406014.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114141676A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114141676A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/677（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 尹玉欽;付楊生;胡其林;李廉炳;樊建平;羅潤(rùn);王磊;彭壽;潘錦功;傅干華;蔣猛;趙雷 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都中建材光電材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都市集智匯華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李華;溫黎娟 |
| 地址 | 610000四川省成都市雙流區(qū)西航港街道空港二路558號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池良率的方法，該方法是將原有傳輸芯片的傳輸輥的全接觸方式改為點(diǎn)接觸方式。具體實(shí)現(xiàn)方法為將上述傳輸輥設(shè)計(jì)為具有多個(gè)支撐點(diǎn)的傳輸輥，支撐點(diǎn)位置分別對(duì)應(yīng)前面工序在芯片表面產(chǎn)生的傳輸滾輪印痕。優(yōu)選的結(jié)構(gòu)形式為所述傳輸輥的外表包裹有橡膠筒，橡膠筒上對(duì)應(yīng)支撐點(diǎn)的位置開(kāi)有溝槽，溝槽上套有氟橡膠圈，氟橡膠圈的直徑大于橡膠筒的直徑。本發(fā)明采用多點(diǎn)支撐的傳輸輥可以將氯化鎘涂覆時(shí)可能產(chǎn)生的外觀不良控制在芯片原有傳輸滾輪印痕范圍內(nèi)，降低了芯片受光面氯化鎘殘留的風(fēng)險(xiǎn)，提升了產(chǎn)品良率。 |
