一種提高碲化鎘薄膜太陽能電池良率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111406014.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114141676A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114141676A 申請公布日 2022-03-04
分類號 H01L21/677（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹玉欽;付楊生;胡其林;李廉炳;樊建平;羅潤;王磊;彭壽;潘錦功;傅干華;蔣猛;趙雷 申請（專利權(quán)）人 成都中建材光電材料有限公司
代理機構(gòu) 成都市集智匯華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李華;溫黎娟
地址 610000四川省成都市雙流區(qū)西航港街道空港二路558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高碲化鎘薄膜太陽能電池良率的方法，該方法是將原有傳輸芯片的傳輸輥的全接觸方式改為點接觸方式。具體實現(xiàn)方法為將上述傳輸輥設(shè)計為具有多個支撐點的傳輸輥，支撐點位置分別對應(yīng)前面工序在芯片表面產(chǎn)生的傳輸滾輪印痕。優(yōu)選的結(jié)構(gòu)形式為所述傳輸輥的外表包裹有橡膠筒，橡膠筒上對應(yīng)支撐點的位置開有溝槽，溝槽上套有氟橡膠圈，氟橡膠圈的直徑大于橡膠筒的直徑。本發(fā)明采用多點支撐的傳輸輥可以將氯化鎘涂覆時可能產(chǎn)生的外觀不良控制在芯片原有傳輸滾輪印痕范圍內(nèi)，降低了芯片受光面氯化鎘殘留的風險，提升了產(chǎn)品良率。