太陽(yáng)能薄膜電池及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111575904.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113964244B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113964244B 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類(lèi)號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0296（2006.01）I;H01L31/0445（2014.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐茜;傅干華;蔣猛;潘錦功;彭壽 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 成都中建材光電材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 楊勛
地址 610200四川省成都市雙流區(qū)西航港街道空港二路558號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種太陽(yáng)能薄膜電池及其制作方法，涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)實(shí)施例的制備方法采用了底襯結(jié)構(gòu)，即在襯底上依次形成金屬層、光吸收層、窗口層和TCO層。光吸收層中的摻雜V族元素能夠使空穴濃度提高，有利于提高光電轉(zhuǎn)換效率。而且本申請(qǐng)實(shí)施例的制作方法中，無(wú)需使用弱酸溶液對(duì)氧化層進(jìn)行去除，減少了含Cd或其他V族元素的廢水的排放，制作工藝更為環(huán)保。此外，因采用底襯結(jié)構(gòu)，用CdCl2激活時(shí)，Cl從窗口層依次向CdTe層、CdTe:V層擴(kuò)散，可以減少CdTe:V層的Cl含量，從一定程度上減少因Cl擴(kuò)散引起的V族元素?fù)诫s量降低。