太陽能薄膜電池及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111575904.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113964244B 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN113964244B 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0296（2006.01）I;H01L31/0445（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐茜;傅干華;蔣猛;潘錦功;彭壽 申請（專利權）人 成都中建材光電材料有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 楊勛
地址 610200四川省成都市雙流區(qū)西航港街道空港二路558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種太陽能薄膜電池及其制作方法，涉及光伏技術領域。本申請實施例的制備方法采用了底襯結構，即在襯底上依次形成金屬層、光吸收層、窗口層和TCO層。光吸收層中的摻雜V族元素能夠使空穴濃度提高，有利于提高光電轉換效率。而且本申請實施例的制作方法中，無需使用弱酸溶液對氧化層進行去除，減少了含Cd或其他V族元素的廢水的排放，制作工藝更為環(huán)保。此外，因采用底襯結構，用CdCl2激活時，Cl從窗口層依次向CdTe層、CdTe:V層擴散，可以減少CdTe:V層的Cl含量，從一定程度上減少因Cl擴散引起的V族元素摻雜量降低。