一種基于大塊晶體的新型PET探測(cè)器模塊

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010482967.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113759414A 公開（公告）日 2021-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113759414A 申請(qǐng)公布日 2021-12-07
分類號(hào) G01T1/29（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 屈春蕾 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津市通透醫(yī)療科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市君硯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張東浩
地址 300000天津市西青區(qū)李七莊街天祥工業(yè)區(qū)商務(wù)區(qū)商務(wù)樓411-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于大塊晶體的新型PET探測(cè)器模塊，包括包括閃爍晶體和設(shè)置在閃爍晶體上下兩個(gè)底面的4個(gè)SiPM陣列，SiPM陣列輸出信號(hào)通過連接器或者線纜連接至后端信號(hào)讀出單元；閃爍晶體，閃爍晶體為長(zhǎng)方體，閃爍晶體四周非設(shè)置有SiPM陣列的四個(gè)側(cè)面以及上下底面未鋪設(shè)SiPM陣列的部位均為反射層；SiPM陣列，包括設(shè)置于上底面且之間存在間距D的SiPM陣列A和SiPM陣列B，以及設(shè)置于下底面且之間存在間距D的SiPM陣列C和SiPM陣列D形成出光面，上底面和下底面的SiPM陣列擺放位置相互垂直；每個(gè)SiPM陣列均由上下兩路2*N個(gè)SiPM組成。本發(fā)明僅使用一層較厚的大塊晶體，加工成本及晶體損耗低，光損失低，光子收集率高，通過使用較少的SiPM芯片獲得準(zhǔn)確的三維位置信息。