一種LED芯片及其制作方法與應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110573499.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113410362A 公開（公告）日 2021-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113410362A 申請(qǐng)公布日 2021-09-17
分類號(hào) H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳明飛;劉永成;王金科;江長(zhǎng)久;陳明高;王志杰;徐勝利;郭梓旋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)沙壹納光電材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 肖云
地址 410000湖南省長(zhǎng)沙市金洲新區(qū)澳洲路068號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LED芯片及其制作方法與應(yīng)用，該LED芯片包括底層，所述底層表面設(shè)有N型半導(dǎo)體層（3）；所述N型半導(dǎo)體層（3）分為第一區(qū)域和第二區(qū)域；所述第一區(qū)域表面設(shè)有中間層；所述中間層表面設(shè)有P型透明導(dǎo)電層；所述P型透明導(dǎo)電層和第二區(qū)域表面設(shè)有頂層；其中，所述P型透明導(dǎo)電層由包括SnO2復(fù)合材料和Cu2O復(fù)合材料的一種；所述SnO2復(fù)合材料包括SnO2與In2O3；所述Cu2O復(fù)合材料包括Cu2O與NiO。本發(fā)明通過(guò)在外延片的表面沉積P型透明導(dǎo)電層，提高了P型透明導(dǎo)電層中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向電壓，提升了LED芯片亮度。