一種LED芯片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110102458.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112750933A 公開（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112750933A 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類號(hào) H01L33/42;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳明飛;劉永成;王金科;郭梓旋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)沙壹納光電材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 伍傳松
地址 410000 湖南省長(zhǎng)沙市金洲新區(qū)澳洲路068號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LED芯片及其制作方法，該LED芯片從下至上依次包括以下各層：外延片、改性ITO透明導(dǎo)電層和頂層；其中，所述外延片上表面為P?GaN層；所述改性ITO透明導(dǎo)電層為等離子體轟擊處理后的ITO透明導(dǎo)電層。其通過(guò)對(duì)P?GaN層和ITO透明導(dǎo)電層進(jìn)行改性，提高了P型電極及ITO透過(guò)導(dǎo)電層的“空穴”注入效率，從而降低了LED芯片正向電壓和提升LED芯片亮度；同時(shí)提高了P型電極與ITO透明導(dǎo)電層的結(jié)合力。