一種P-GAN層改性的LED芯片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110102443.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112750929A 公開（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112750929A 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類號(hào) H01L33/22;H01L33/36;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳明飛;劉永成;王金科;郭梓旋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長沙壹納光電材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 伍傳松
地址 410000 湖南省長沙市金洲新區(qū)澳洲路068號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種P?GAN層改性的LED芯片及其制作方法，該LED芯片從下至上依次包括以下各層：外延片、ITO透明導(dǎo)電層和頂層；其中，所述外延片上表面為P?GaN層；所述P?GaN層需經(jīng)過等離子體轟擊改性處理。其通過對(duì)P?GaN層進(jìn)行改性，破壞了P?GaN層表面的晶體結(jié)構(gòu)，降低了ITO透明導(dǎo)電層與P?GaN層表面的界面能，提高了ITO透明導(dǎo)電層的“空穴”注入效率，從而降低了LED芯片正向電壓和提升了LED芯片亮度。