一種高性能p型碲化鉍基熱電發(fā)電材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010565725.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102108554B 公開（公告）日 2015-06-10
申請公布號 CN102108554B 申請公布日 2015-06-10
分類號 C30B29/46(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 鄭俊輝;陳果;鄭艷麗;張衛(wèi)華 申請（專利權(quán)）人 江西納米克熱電電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 施秀瑾
地址 330000 江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)江鋼工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高性能p型碲化鉍基熱電發(fā)電材料的制備方法，以工業(yè)化大批量生產(chǎn)的高純碲塊、鉍塊和銻塊為原料，經(jīng)過去氧化層、粉碎后，按一定的比例稱量后置于處理好的玻璃管內(nèi)，經(jīng)過封裝、熔化、區(qū)熔生長、退火，得到p型碲化鉍基熱電半導(dǎo)體晶棒。在30~300℃下，平均ZT值達(dá)0.75以上。所使用的原料廉價易得、無毒環(huán)保、設(shè)備工藝簡單、能耗低、產(chǎn)量大、可大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。