一種半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010234248.6 申請日 -
公開（公告）號 CN101924079A 公開（公告）日 2010-12-22
申請公布號 CN101924079A 申請公布日 2010-12-22
分類號 H01L23/02(2006.01)I;H01L23/16(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范愛民 申請（專利權(quán)）人 南京納星微通信技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 西安西交通盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 范愛民;蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司
地址 710075 陜西省西安市高新區(qū)高新一路25號創(chuàng)新大廈N701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體芯片被真空包覆于包覆體中，所述半導(dǎo)體芯片可以是氮化鎵晶體管、氮化鎵放大器模塊或者氮化鎵單片微波集成電路，上述氮化鎵晶體管由下至上依次包括基片、半導(dǎo)體層和隔離層，該氮化鎵晶體管還包括源極、漏極和柵極，所述源極和漏極設(shè)置于所述隔離層上且電性連接所述半導(dǎo)體層，所述柵極設(shè)置于所述隔離層上，所述柵極位于所述源極和漏極之間。上述氮化鎵晶體管真空封裝于包覆體中，真空條件下，在器件表面不設(shè)置鈍化層或者設(shè)置很薄的一層鈍化層均可以消除所封氮化鎵晶體管的電流崩塌效應(yīng)，同時可以減小所封裝氮化鎵晶體管的寄生電容。