一種太陽(yáng)能電池的制備工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811207806.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111063760B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN111063760B 申請(qǐng)公布日 2022-06-14
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/0288（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳孝業(yè);蔣秀林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 晶澳太陽(yáng)能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 055550河北省邢臺(tái)市寧晉縣晶龍大街267號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池的制備工藝，包括以下步驟：S1：在硅基體的至少一個(gè)表面上設(shè)置本征硅層；S2：在所述本征硅層上設(shè)置摻雜源層；S3：使與所述本征硅層預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)位置處的所述摻雜源層的摻雜源分解出摻雜離子并使所述摻雜離子進(jìn)入所述本征硅層的預(yù)設(shè)區(qū)域，在所述本征硅層的預(yù)設(shè)區(qū)域形成摻雜區(qū)域，同時(shí)在所述摻雜區(qū)域上形成有含摻雜源的氧化硅保護(hù)層；S4：去除所述本征硅層上設(shè)置有摻雜源層的未摻雜區(qū)域，在所述硅基體的至少一個(gè)表面上形成局部摻雜硅層。該工藝?yán)眉す馔瓿删植繐诫s多晶硅層或非晶硅層，工藝簡(jiǎn)潔可行。