一種III族氮化物半導(dǎo)體雪崩光電二極管探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611152406.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106711253B 公開（公告）日 2018-07-27
申請公布號 CN106711253B 申請公布日 2018-07-27
分類號 H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江灝;羅睿宏;李順峰 申請（專利權(quán)）人 江蘇華功第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 江蘇華功第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種III族氮化物半導(dǎo)體雪崩光電二極管探測器。包括襯底及生長在襯底之上的外延層。外延層自下而上的順序依次為非故意摻雜氮化物緩沖層，非故意摻雜氮化物過渡層，重?fù)诫sn型氮化物歐姆電極接觸層，非均勻摻雜p型氮化物有源層，p型摻雜氮化物層和重?fù)诫sp型氮化物歐姆電極接觸層。本發(fā)明同時公開器件制備方法，包括：利用多次光刻及干法刻蝕制作器件邊緣的臺階，在所述的p型歐姆接觸層及n型歐姆接觸層分別蒸鍍p型及n型金屬電極，經(jīng)過合金與半導(dǎo)體形成歐姆接觸。本器件結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了雪崩光電二極管有源區(qū)的電場強(qiáng)度，通過有效提高有源區(qū)場強(qiáng)、降低器件邊緣漏電流，實現(xiàn)氮化物雪崩光電探測器的低暗電流、高增益、高探測響應(yīng)度性能。