一種弱P型碲鎘汞材料的退火方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210123432.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114551642A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551642A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L31/18（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B29/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏彥鋒;孫權志;李珣;林春;丁瑞軍;何力 申請（專利權）人 中國科學院上海技術物理研究所
代理機構 上海滬慧律師事務所 代理人 -
地址 200083上海市虹口區(qū)玉田路500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種弱P型碲鎘汞外延材料的退火方法。采用雙溫區(qū)退火裝置，汞源和碲鎘汞材料封裝在石英管中，使汞源和碲鎘汞樣品分別處在雙溫區(qū)退火爐的低溫段和高溫段，根據(jù)所要求的碲鎘汞空穴載流子的濃度，分別設置汞源和碲鎘汞材料的退火溫度，在退火結束后的冷卻階段分別設置汞源和碲鎘汞材料的降溫速率，使得在整個退火過程中汞蒸氣的壓力滿足碲鎘汞材料中汞空位濃度穩(wěn)定性的要求，從而提高碲鎘汞外延材料電學參數(shù)的穩(wěn)定性和退火工藝的重復性。