一種基于異質(zhì)結(jié)二維電子氣的新型光電位置敏感探測(cè)器及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210086892.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN114597271A | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-06-07 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114597271A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-07 |
分類號(hào) | H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 朱家旗;單玉鳳;朱賀;梁新棟;吳惠楨;鄧惠勇;戴寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 李亦慈;唐銀益 |
地址 | 310024 浙江省杭州市西湖區(qū)象山支弄1號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于異質(zhì)結(jié)二維電子氣的新型光電位置敏感探測(cè)器及其制備方法,探測(cè)器由上到下依次為:設(shè)置于四邊的金屬電極、CdTe層、PbTe層和BaF2襯底,CdTe層和PbTe層構(gòu)成異質(zhì)結(jié),CdTe層和PbTe層的界面之間是自然形成的二維電子氣,二維電子氣與金屬電極是歐姆接觸。采用MBE的方法,生長(zhǎng)了CdTe/PbTe異質(zhì)結(jié),其界面處自然產(chǎn)生高濃度高遷移率的二維電子氣,得益于異質(zhì)結(jié)材料自身的物理特性與二維電子氣新奇的側(cè)向光伏效應(yīng),該器件的工作波長(zhǎng)超過(guò)可見(jiàn)光,工作波段也很寬,可涵蓋中短紅外波段,而且其線性響應(yīng)度較為優(yōu)異。該器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制備方法簡(jiǎn)便可控,成本低廉,工作原理新奇獨(dú)特,工作范圍涵蓋中短紅外波段,兼具科研與實(shí)用價(jià)值。 |
