新型DFN封裝半導(dǎo)體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120386030.6 申請日 -
公開（公告）號 CN214477424U 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN214477424U 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L23/495;H01L23/467;H01L23/367;H01L25/07 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬翠鳳;劉志坤;周峰;張中華;王春蕾 申請（專利權(quán)）人 江蘇愛矽半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 徐州創(chuàng)榮知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳俊杰
地址 221000 江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子信息產(chǎn)業(yè)園A9、A10號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種新型DFN封裝半導(dǎo)體，包括框架和功能芯片，框架為矩形形狀，框架的中心位置設(shè)有隔離帶，隔離帶將框架分為至少對稱的四個基島，每個基島由內(nèi)向外分別設(shè)有散熱孔和引腳；散熱孔形狀與功能芯片相同且尺寸小于功能芯片，功能芯片設(shè)置在散熱孔上方且通過焊線與各自基島上的引腳焊接，相鄰兩個功能芯片也通過焊線連接，框架、功能芯片和焊線通過塑封體塑封起來。本實用新型框架上設(shè)有多個基島，可以安裝單芯片，也可以安裝多個芯片，一種框架可以適用于不同種類的產(chǎn)品，解決了框架種類繁多的問題；N型MOS和P型MOS相互橋接，減少引腳數(shù)量，并提供優(yōu)異的MOS電阻值，兼容性更佳，散熱片最大程度地外露，具有優(yōu)異的散熱性能。