一種用于平面光波導(dǎo)器件的薄膜制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410085458.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN103809242B | 公開(公告)日 | 2017-08-25 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN103809242B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-08-25 |
分類號(hào) | G02B6/13 | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 劉春梅;李朝陽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 四川飛陽科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王寶筠 |
地址 | 610209 四川省成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)長(zhǎng)城路一段185號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種用于平面光波導(dǎo)器件的薄膜制備方法,包括:提供待制備薄膜的基底,所述基底上具有溝槽;在所述基底的溝槽區(qū)域施加偏壓,使形成所述薄膜的離子沿與基底垂直方向呈一定夾角的方向入射進(jìn)入溝槽,在所述溝槽的底部和側(cè)壁上形成薄膜;其中,所述形成所述薄膜的離子位于所述基底上方的等離子體及等離子體鞘層中。本發(fā)明通過使形成所述薄膜的離子沿與基底垂直方向呈一定夾角的方向入射進(jìn)入溝槽,在所述溝槽的底部和側(cè)壁上形成薄膜,從而解決了溝槽側(cè)壁上很難形成薄膜的問題,進(jìn)而制備出了均勻性較好的上包層薄膜,提高了上包層薄膜的質(zhì)量以及平面光波導(dǎo)器件的性能。 |
