動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及處理器模塊
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110329706.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114664333A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114664333A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | G11C5/06（2006.01）I;G11C11/403（2006.01）I;H01L25/16（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I;H01L27/115（2017.01）I;H01L23/31（2006.01）I | 分類(lèi) | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 賴(lài)振楠 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳宏芯宇電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市順天達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路136號(hào)深圳新一代產(chǎn)業(yè)園2棟2501 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及處理器模塊，所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包括第一芯片、第二芯片以及橋接晶片，所述第一芯片內(nèi)封裝有閃存晶片，所述第二芯片內(nèi)封裝有DRAM晶片；所述第一芯片、第二芯片以及橋接晶片封裝于第一封裝體內(nèi)，且在所述第一封裝體內(nèi)，所述第一芯片與所述第二芯片相疊設(shè)置，所述橋接晶片分別與所述第一芯片內(nèi)的閃存晶片和第二芯片內(nèi)的DRAM晶片耦合。本發(fā)明通過(guò)將DRAM晶片、閃存晶片及橋接晶片封裝在一起，并通過(guò)橋接晶片直接根據(jù)中央處理單元正在執(zhí)行的指令集更新DRAM晶片中的內(nèi)容，從而較小成本即可實(shí)現(xiàn)較大的存儲(chǔ)容量。 |
