無負(fù)載的包含有四個NMOS晶體管的靜態(tài)隨機(jī)存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810102307.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101540195A 公開（公告）日 2009-09-23
申請公布號 CN101540195A 申請公布日 2009-09-23
分類號 G11C11/412(2006.01)I;G11C11/419(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 張萬成;吳南健 申請（專利權(quán)）人 無錫中科智聯(lián)科技研發(fā)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;無錫中科智聯(lián)科技研發(fā)中心有限公司
地址 100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM單元，以及加快該SRAM單元寫入速度的方法。該靜態(tài)隨機(jī)存儲器單元由具有雙柵結(jié)構(gòu)的N溝道FinFET組成，包含一對下拉NMOS管和一對存取NMOS管。一方面，存取MOS管具有較小的溝道長度，而下拉MOS管具有較大的溝道長度。在SRAM為保持模式時，存取MOS管相對于下拉MOS管有較大的漏電流，使得SRAM單元可以有效保持邏輯1。另一方面，SRAM單元中存儲節(jié)點(diǎn)的電壓分別被反饋到存取MOS管和下拉MOS管的背柵上。在SRAM為讀取模式時，下拉MOS管相對于存取MOS管有較大的開啟狀態(tài)電流，使得SRAM單元可以有效保持邏輯0。