無(wú)負(fù)載的包含有四個(gè)NMOS晶體管的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810102307.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101540195B 公開(kāi)（公告）日 2011-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN101540195B 申請(qǐng)公布日 2011-12-21
分類(lèi)號(hào) G11C11/412(2006.01)I;G11C11/419(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I 分類(lèi) 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 張萬(wàn)成;吳南健 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫中科智聯(lián)科技研發(fā)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;無(wú)錫中科智聯(lián)科技研發(fā)中心有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM單元，以及加快該SRAM單元寫(xiě)入速度的方法。該靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元由具有雙柵結(jié)構(gòu)的N溝道FinFET組成，包含一對(duì)下拉NMOS管和一對(duì)存取NMOS管。一方面，存取MOS管具有較小的溝道長(zhǎng)度，而下拉MOS管具有較大的溝道長(zhǎng)度。在SRAM為保持模式時(shí)，存取MOS管相對(duì)于下拉MOS管有較大的漏電流，使得SRAM單元可以有效保持邏輯1。另一方面，SRAM單元中存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電壓分別被反饋到存取MOS管和下拉MOS管的背柵上。在SRAM為讀取模式時(shí)，下拉MOS管相對(duì)于存取MOS管有較大的開(kāi)啟狀態(tài)電流，使得SRAM單元可以有效保持邏輯0。