半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用、激光器、光電探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010445691.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111584657A 公開（公告）日 2020-08-25
申請公布號 CN111584657A 申請公布日 2020-08-25
分類號 H01L31/0304(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 杜鵬 申請（專利權(quán)）人 湖南科萊特光電有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 湖南科萊特光電有限公司
地址 410000湖南省長沙市雨花區(qū)振華路579號康庭園一期18號棟北側(cè)一層、二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，提供了一種半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用、激光器、光電探測器。所述半導(dǎo)體材料包括依次設(shè)置的硅襯底、第一GaAs緩沖層、GaSb緩沖層和InAs(Sb)/InxGa1?xAsySb1?y超晶格，其中0