單分子層內(nèi)δ摻雜的半導(dǎo)體材料及其制備方法和探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011550954.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112670356A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112670356A 申請(qǐng)公布日 2021-04-16
分類號(hào) H01L31/0304;H01L31/18;H01L21/02;H01L31/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南科萊特光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王闖
地址 410000 湖南省長(zhǎng)沙市雨花區(qū)振華路579號(hào)康庭園一期18號(hào)棟北側(cè)一層、二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N單分子層內(nèi)δ摻雜的半導(dǎo)體材料及其制備方法和探測(cè)器。單分子層內(nèi)δ摻雜的半導(dǎo)體材料，包括基礎(chǔ)緩沖層以及設(shè)置在基礎(chǔ)緩沖層上的一個(gè)或多個(gè)單分子摻雜層；基礎(chǔ)緩沖層包括III族元素和V族元素；單分子摻雜層包括交替設(shè)置的未摻雜部分和摻雜部分，未摻雜部分與基礎(chǔ)緩沖層的成分相同，摻雜部分包括與未摻雜部分相同的元素和摻雜元素，摻雜元素包括II族元素、VI族元素和IV元素中的一種或多種。半導(dǎo)體材料的制備方法，包括：在襯底上生長(zhǎng)基礎(chǔ)緩沖層，然后在基礎(chǔ)緩沖層上交替生長(zhǎng)未摻雜部分和摻雜部分得到所述單分子摻雜層。探測(cè)器，其原料包括半導(dǎo)體材料。本申請(qǐng)?zhí)峁┑膯畏肿訉觾?nèi)δ摻雜的半導(dǎo)體材料，具有更高的載流子濃度。