InAs/GaSb緩沖層、硅基銻化物半導體材料及其制備方法和元器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011595232.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112688157A | 公開（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請公布號 | CN112688157A | 申請公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號 | H01S5/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 杜鵬 | 申請（專利權(quán)）人 | 湖南科萊特光電有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王闖 |
| 地址 | 410000湖南省長沙市雨花區(qū)振華路579號康庭園一期18號棟北側(cè)一層、二層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請?zhí)峁┮环NInAs/GaSb緩沖層、硅基銻化物半導體材料及其制備方法和元器件。InAs/GaSb緩沖層包括一個或多個基本緩沖單元，每個基本緩沖單元包括一個或多個基本單元層，每個基本單元層包括一組或多組交替設(shè)置的GaSb部分和InAs部分。硅基銻化物半導體材料包括硅襯底和純鎵銻層，硅襯底和純鎵銻層之間設(shè)置有InAs/GaSb緩沖層。其制備方法包括：在硅襯底上生長GaSb部分和InAs部分得到多個基本單元層；然后生長純鎵銻層。元器件，其原料包括InAs/GaSb緩沖層或硅基銻化物半導體材料。本申請?zhí)峁┑腎nAs/GaSb緩沖層能夠降低硅與GaSb間的晶格失配，從而實現(xiàn)高質(zhì)量銻化物外延生長。?? |
