垂直型III-V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010846114.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111934200A | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111934200A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號(hào) | H01S5/34(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 杜鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南科萊特光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湖南科萊特光電有限公司 |
| 地址 | 410000湖南省長(zhǎng)沙市雨花區(qū)振華路579號(hào)康庭園一期18號(hào)棟北側(cè)一層、二層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種垂直型III?V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制備方法，涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的垂直型III?V族超晶格材料包括：具有傾角且呈臺(tái)階狀的襯底，以及，位于襯底上且垂直襯底的超晶格半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；超晶格半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括垂直襯底分布且交替疊置的第一材料豎層和第二材料豎層，襯底的每個(gè)臺(tái)階上分布有一個(gè)周期的第一材料豎層和第二材料豎層，第一材料豎層和所述第二材料豎層形成超晶格結(jié)構(gòu)；第一材料豎層包括重復(fù)層疊生長(zhǎng)的第一材料單分子層；第二材料豎層包括重復(fù)層疊生長(zhǎng)的第二材料單分子層；第一材料和第二材料為不同的III?V族化合物。這種新型超晶格結(jié)構(gòu)具有縱向的載流子傳輸優(yōu)勢(shì)。?? |
