嵌入量子線的超晶格材料及其制備方法、紅外波段發(fā)光材料和探測(cè)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010822697.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111916511A | 公開（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111916511A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號(hào) | H01L31/0352(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 杜鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南科萊特光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湖南科萊特光電有限公司 |
| 地址 | 410000湖南省長(zhǎng)沙市雨花區(qū)振華路579號(hào)康庭園一期18號(hào)棟北側(cè)一層、二層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種嵌入量子線的超晶格材料及其制備方法、紅外波段發(fā)光材料和探測(cè)器。嵌入量子線的超晶格材料包括層疊設(shè)置的至少一個(gè)InAs/GaSb層和至少一個(gè)單一物質(zhì)層；InAs/GaSb層包括InAs部分和GaSb部分，單一物質(zhì)層包括InAs或GaSb；InAs部分和GaSb部分交替排列且沿其排列方向的寬度不同。嵌入量子線的超晶格材料的制備方法：按照結(jié)構(gòu)依次在襯底上生長(zhǎng)InAs/GaSb層和單一物質(zhì)層。紅外波段發(fā)光材料，包括嵌入量子線的超晶格材料。探測(cè)器，包括紅外波段發(fā)光材料。本申請(qǐng)?zhí)峁┑那度肓孔泳€的超晶格材料，將量子線引入II型超晶格中形成線?超晶格復(fù)合結(jié)構(gòu)，可提高器件工作溫度，提升材料光電性能。?? |
