一種硅CMP漿料及其使用該CMP漿料的拋光方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610246998.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107304330A | 公開(公告)日 | 2017-10-31 |
申請公布號 | CN107304330A | 申請公布日 | 2017-10-31 |
分類號 | C09G1/02(2006.01)I;B24B37/00(2012.01)I | 分類 | 染料;涂料;拋光劑;天然樹脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應用; |
發(fā)明人 | 仲躋和 | 申請(專利權)人 | 江蘇天恒納米科技股份有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 226601 江蘇省南通市城東鎮(zhèn)東海大道(東)18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種硅CMP漿料及其使用該CMP漿料的拋光方法,包括CMP漿料組合物和研磨料,CMP組合物包括至少一種陰離子聚合物表面活性劑、粘度調節(jié)劑、螯合劑和研磨助劑,研磨料為納米級二氧化硅溶膠,陰離子聚合物表面活性劑為羧酸鹽、磺酸鹽、磷酸酯中的任意一種或一種以上的組合,螯合劑為有機化合物,研磨助劑為非離子聚合物顆粒。本發(fā)明研磨料采用納米級二氧化硅溶膠,具有研磨料粒徑小、表面張力小、容易清洗等優(yōu)點,而且拋光速度快,可達到(0.8~1.5μm/min),在高溫時不會出現(xiàn)非均化蝕坑,大大的提高了拋光質量,可廣泛應用于硅晶片拋光工藝中及其他半導體材料的拋光工藝。 |
