以氮化物薄膜為絕緣埋層的SOI材料及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201610792264.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN107785304B | 公開（公告）日 | 2020-03-20 |
| 申請公布號 | CN107785304B | 申請公布日 | 2020-03-20 |
| 分類號 | H01L21/762 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李慧;楊文奇 | 申請（專利權）人 | 沈陽硅基科技有限公司 |
| 代理機構 | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 | 代理人 | 許宗富;周秀梅 |
| 地址 | 110179 遼寧省沈陽市沈陽出口加工區(qū)渾南東路15-22號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種以氮化物薄膜為絕緣埋層的SOI材料及其制備方法，屬于半導體材料制造技術領域。利用PECVD的方法制備具有良好導熱性能、結構致密的氮化物復合型絕緣薄膜，并與氫離子注入、晶圓鍵合、退火、磨拋和微波裂片等工藝相結合，制備以氮氧化硅/氮化硅/氮氧化硅復合薄膜為絕緣層的SOI結構，這種SOI材料的導熱性能優(yōu)于常規(guī)SiO2為絕緣埋層的SOI，更加適應高溫、大功率SOI電路的需要。此外，氮化硅的介電常數(shù)均大于SiO2的介電常數(shù)，可作為柵極介質候選材料。 |
