一種多層單晶硅薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810075920.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110085510B 公開(kāi)（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN110085510B 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黨啟森 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 沈陽(yáng)硅基科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 110000 遼寧省沈陽(yáng)市渾南區(qū)沈陽(yáng)出口加工區(qū)渾南東路15-22號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種多層單晶硅薄膜的制備方法，依次按照下述要求制備多層單晶硅薄膜：①首先，取兩片表面潔凈的單晶硅片采用等離子激活技術(shù)處理硅片表面后，進(jìn)行預(yù)鍵合；②將鍵合后的硅片，傳送至在200?300℃的溫度退火爐內(nèi)進(jìn)行6?10小時(shí)的退火，既防止了過(guò)渡區(qū)的產(chǎn)生又將此兩片硅片完成徹底鍵合，③將退火后的鍵合片進(jìn)行減薄處理以達(dá)到需求的目標(biāo)厚度；④將減薄處理后的SOI片，重新按照一片單晶硅片與另一片單晶硅片再次進(jìn)行①?③的操作，得到多層單晶硅薄膜。本發(fā)明采用等離子激活技術(shù)處理過(guò)的硅片鍵合時(shí)預(yù)鍵合力大，退火后鍵合效果優(yōu)良；各層界面無(wú)明顯電阻過(guò)渡區(qū)；可以對(duì)各層單晶硅的厚度進(jìn)行有效控制；其綜合技術(shù)效果良好；具有較為巨大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值和社會(huì)價(jià)值。