一種特殊結構的SOI及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111524906.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114188362A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188362A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L27/12（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高文琳 申請（專利權）人 沈陽硅基科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 110000遼寧省沈陽市出口加工區(qū)渾南東路15-22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種特殊結構的SOI的制備方法，屬于半導體的制備技術領域。一種特殊結構的SOI由襯底層、器件層、絕緣層、薄膜層組成，其中襯底層和器件層為下述幾種之一：硅、碳化硅、氮化鎵等Ⅲ?Ⅴ族化合物；絕緣層為二氧化硅，可以僅在器件層或在襯底層和器件層上沉積所得；薄膜層為下述幾種之一：多晶硅層以及非晶硅層，可以在生長絕緣層的襯底層或可直接在襯底層上沉積所得。本發(fā)明主要應用于射頻領域，本發(fā)明所制備的特殊結構的SOI，依靠Ⅲ?Ⅴ族化合物的優(yōu)勢，同時引入了非晶或多晶層，極大地提升了射頻性能，因此，本發(fā)明制備的特殊結構的SOI產(chǎn)品具有極高的市場價值和社會價值。