一種雙面注入得到SOI的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810075765.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110085549A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN110085549A 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L21/762 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉洋 申請（專利權）人 沈陽硅基科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 110000 遼寧省沈陽市渾南區(qū)沈陽出口加工區(qū)渾南東路15-22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙面注入得到SOI的方法，其依次按照下述要求進行操作：①對硅片氧化，之后在硅片正面或/和背面注入氫離子H+；②注入后的硅片與下述結構同時鍵合、裂片，同時得到兩片SOI：2片硅片、2片氧化片，1片硅片和1片氧化片；③得到兩片不同規(guī)格的SOI或兩片相同規(guī)格的SOI；不同規(guī)格的SOI的區(qū)別是：頂硅厚度不同，厚度范圍是：1?1000nm；襯底片的電阻率/含氧/碳量不同。本發(fā)明有效減少了硅片正面注入帶來的損傷，使H+分布更均勻，裂片后SOI表面顆粒較好；適合工業(yè)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高；其具有可預期的較為巨大的經(jīng)濟價值和社會價值。