一種去除TM-SOI頂層硅缺陷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610025528.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106981451B 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN106981451B 申請公布日 2021-05-07
分類號 H01L21/762(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 高文琳;柳清超;孫偉 申請（專利權）人 沈陽硅基科技有限公司
代理機構 沈陽科苑專利商標代理有限公司 代理人 許宗富;周秀梅
地址 110179遼寧省沈陽市沈陽出口加工區(qū)渾南東路15-22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種去除TM?SOI頂層硅缺陷的方法，屬于SOI制備技術領域。該方法是將TM?SOI形成的SOI硅片，采用HCl化學腐蝕除去薄膜SOI硅片表面的損傷層，與此同時在高溫低壓的環(huán)境下，對薄膜SOI頂層硅層中因注入造成的缺陷進行了修復，獲得高質量的SOI硅片。應用此方法制備的SOI，不僅可以改善表面粗糙度，最重要的是可以修復SOI的缺陷，制備電特性極佳的SOI材料。??