一種多層單晶硅薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810075920.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110085510A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN110085510A 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黨啟森 申請（專利權(quán)）人 沈陽硅基科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 110000 遼寧省沈陽市渾南區(qū)沈陽出口加工區(qū)渾南東路15-22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種多層單晶硅薄膜的制備方法，依次按照下述要求制備多層單晶硅薄膜：①首先，取兩片表面潔凈的單晶硅片采用等離子激活技術(shù)處理硅片表面后，進行預(yù)鍵合；②將鍵合后的硅片，傳送至在200?300℃的溫度退火爐內(nèi)進行6?10小時的退火，既防止了過渡區(qū)的產(chǎn)生又將此兩片硅片完成徹底鍵合，③將退火后的鍵合片進行減薄處理以達到需求的目標(biāo)厚度；④將減薄處理后的SOI片，重新按照一片單晶硅片與另一片單晶硅片再次進行①?③的操作，得到多層單晶硅薄膜。本發(fā)明采用等離子激活技術(shù)處理過的硅片鍵合時預(yù)鍵合力大，退火后鍵合效果優(yōu)良；各層界面無明顯電阻過渡區(qū)；可以對各層單晶硅的厚度進行有效控制；其綜合技術(shù)效果良好；具有較為巨大的經(jīng)濟價值和社會價值。