一種非接觸無(wú)損傷的測(cè)量外延SOI外延層電阻率的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610079153.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107026097B 公開(kāi)（公告）日 2020-03-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN107026097B 申請(qǐng)公布日 2020-03-20
分類號(hào) H01L21/66 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 付超凡;柳清超;高文琳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 沈陽(yáng)硅基科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 許宗富;周秀梅
地址 110179 遼寧省沈陽(yáng)市沈陽(yáng)出口加工區(qū)渾南東路15-22號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種非接觸無(wú)損傷的測(cè)量外延SOI外延層電阻率的方法，該方法針對(duì)外延SOI外延層進(jìn)行電阻率的測(cè)量，為了達(dá)到測(cè)量精準(zhǔn)的效果，首先對(duì)外延SOI表面進(jìn)行特定的預(yù)處理，使表面的缺陷及電學(xué)參數(shù)達(dá)到所需要求。再施加特定電壓，根據(jù)C?V曲線算出電阻率。最終結(jié)果誤差小于0.1％。本發(fā)明為非接觸式測(cè)量，具有非破壞性、無(wú)損傷性、可重復(fù)利用等優(yōu)點(diǎn)。在實(shí)際生產(chǎn)中，被測(cè)外延SOI仍然可以使用。大大的提高了產(chǎn)品良率，節(jié)約了成本。