一種貫穿空腔結(jié)構(gòu)硅片的加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810075852.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110078017B 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN110078017B 申請公布日 2021-11-05
分類號 B81C1/00（2006.01）I;B81C3/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 李響 申請（專利權(quán)）人 沈陽硅基科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 110000遼寧省沈陽市渾南區(qū)沈陽出口加工區(qū)渾南東路15-22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種貫穿空腔結(jié)構(gòu)硅片的加工方法，其特征在于：其依次按照下述要求進行操作：對硅片或圖形片進行離子注入；植入假底，使用硅片與圖形片鍵合；磨拋，減薄圖形片至露出圖形的深度；鍵合；剝離假底。相對于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明操作規(guī)范，產(chǎn)品質(zhì)量能夠得到有效保證；且產(chǎn)品的性價比高，綜合技術(shù)效果優(yōu)良；其具有可預(yù)期的較為巨大的經(jīng)濟價值和社會價值。