一種電容耦合PECVD裝置用的基底材料載體
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810726972.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110629189A | 公開(公告)日 | 2019-12-31 |
申請公布號 | CN110629189A | 申請公布日 | 2019-12-31 |
分類號 | C23C16/26(2006.01); C23C16/458(2006.01); C23C16/513(2006.01) | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 郝奕舟; 陳劍豪; 王天戌 | 申請(專利權)人 | 廣州墨羲科技有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 510623 廣東省廣州市越秀區(qū)水蔭路119號星光映景A中心10樓1001 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種電容耦合PECVD裝置用的基底材料載體,屬于等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備的技術領域,包括電極片、基底材料夾持片、連接組件,其中,連接組件包括多個連接桿、間隔管和緊固螺母,多個連接桿穿入電極片和基底材料夾持片上開的多個槽孔中,間隔管套在連接桿上,間隔各片,連接桿兩端使用緊固螺母緊固。通過本發(fā)明提供的技術方案,實現(xiàn)了在電容耦合PECVD生產(chǎn)石墨烯的工藝過程中,對基底材料為金屬箔片的承載和等離子體的產(chǎn)生,解決了現(xiàn)有的大型電容耦合PECVD設備中沒有適用于金屬箔片的載體的技術空白。 |
