一種可以在真空環(huán)境下連續(xù)進(jìn)出料的CVD/PECVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810726973.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110629196A 公開（公告）日 2019-12-31
申請公布號(hào) CN110629196A 申請公布日 2019-12-31
分類號(hào) C23C16/44（2006.01）; C23C16/26（2006.01）; C23C16/513（2006.01） 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 郝奕舟; 陳劍豪; 王天戌 申請（專利權(quán)）人 廣州墨羲科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 510623 廣東省廣州市越秀區(qū)水蔭路119號(hào)星光映景A中心10樓1001
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可以在真空環(huán)境下連續(xù)進(jìn)出料的CVD/PECVD裝置，屬于化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，裝置包括三個(gè)腔體，分別為：進(jìn)料腔、反應(yīng)腔、冷卻腔；其中，反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)有電傳輸機(jī)構(gòu)、感溫組件和支撐機(jī)構(gòu)；進(jìn)料腔和冷卻腔內(nèi)有基底材料及其載體的輸送系統(tǒng)；其中，各腔體還配備有各自的輸氣、抽氣系統(tǒng)。通過本發(fā)明提供的技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)了在CVD/PECVD制造碳材料的工藝過程中，無須改變反應(yīng)腔室的溫度和真空度就可以進(jìn)出料的技術(shù)效果，解決了現(xiàn)有的CVD/PECVD設(shè)備必須在反應(yīng)腔室降溫和恢復(fù)大氣壓后才能出料和重新填料的工藝問題，提高了生產(chǎn)效率。