一種可以在真空環(huán)境下連續(xù)進出料的CVD/PECVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810726973.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110629196A 公開（公告）日 2019-12-31
申請公布號 CN110629196A 申請公布日 2019-12-31
分類號 C23C16/44（2006.01）; C23C16/26（2006.01）; C23C16/513（2006.01） 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 郝奕舟; 陳劍豪; 王天戌 申請（專利權(quán)）人 廣州墨羲科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 510623 廣東省廣州市越秀區(qū)水蔭路119號星光映景A中心10樓1001
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可以在真空環(huán)境下連續(xù)進出料的CVD/PECVD裝置，屬于化學氣相沉積(CVD)設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，裝置包括三個腔體，分別為：進料腔、反應腔、冷卻腔；其中，反應腔內(nèi)設(shè)有電傳輸機構(gòu)、感溫組件和支撐機構(gòu)；進料腔和冷卻腔內(nèi)有基底材料及其載體的輸送系統(tǒng)；其中，各腔體還配備有各自的輸氣、抽氣系統(tǒng)。通過本發(fā)明提供的技術(shù)方案，實現(xiàn)了在CVD/PECVD制造碳材料的工藝過程中，無須改變反應腔室的溫度和真空度就可以進出料的技術(shù)效果，解決了現(xiàn)有的CVD/PECVD設(shè)備必須在反應腔室降溫和恢復大氣壓后才能出料和重新填料的工藝問題，提高了生產(chǎn)效率。