拉制低光衰單晶的工藝及單晶、硅棒、硅片、電池及組件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010585877.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113832542A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113832542A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B29/06（2006.01）I;C30B15/04（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;H01L31/042（2014.01）I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 楊志;王建平;烏恩;王林;徐強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 欒志超 |
| 地址 | 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種拉制低光衰單晶的工藝，在裝料時(shí)，將多晶硅原料與摻雜劑裝入坩堝內(nèi)，進(jìn)行直拉單晶；以及，在穩(wěn)溫至等徑階段，采用高晶轉(zhuǎn)工藝，高晶轉(zhuǎn)工藝為晶轉(zhuǎn)大于10rpm；拉制多顆短段單晶。本發(fā)明的有益效果是采用直拉法進(jìn)行單晶的拉制，在拉制單晶過(guò)程中，在拉制初始及復(fù)投、爐臺(tái)異常時(shí)，加入摻雜劑，同時(shí)，在穩(wěn)溫至等徑階段，采用高晶轉(zhuǎn)工藝進(jìn)行單晶的拉制，并采用自動(dòng)轉(zhuǎn)肩工藝和多顆短段單晶拉制工藝，減少單晶的RRV不良，降低單晶衰減率。 |
