一種單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態(tài)判定的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010116915.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113373510A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113373510A 申請公布日 2021-09-10
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙國偉;徐強;高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學;劉有益;皇甫亞楠;楊瑞峰;郭志榮 申請（專利權）人 內蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
代理機構 天津諾德知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070內蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種單晶斷苞后自動回熔時回熔狀態(tài)判定的工藝，在單晶斷苞后自動階段下降進行回熔單晶回熔時，在每一階段中，測量回熔單晶的初始重量，并將該回熔單晶下降一定距離至硅溶液液面下，在預設的回熔時間內進行回熔，當達到回熔時間后，進行回熔單晶是否回熔完的判定，若硅溶液內的回熔單晶回熔完，進行下一階段下降回熔單晶回熔；否則，進行回熔狀態(tài)判定。本發(fā)明的有益效果是采用自動控制，對斷苞后的單晶進行階段性回熔，且在每一階段回熔時，自動進行單晶是否回熔完判斷，降低勞動強度，提高工作效率，自動化程度高。