一種單晶斷苞后自動(dòng)回熔工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010116914.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113373509A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113373509A 申請公布日 2021-09-10
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙國偉;徐強(qiáng);高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學(xué);劉有益;皇甫亞楠;楊瑞峰;郭志榮 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種單晶斷苞后自動(dòng)回熔工藝，包括以下步驟，S1：進(jìn)行坩堝內(nèi)硅溶液升溫；S2：升溫結(jié)束后，自動(dòng)階段下降回熔單晶進(jìn)行回熔，并在每一階段回熔時(shí)，判定回熔單晶回熔狀態(tài)，直至回熔單晶的重量達(dá)到降溫初始單晶重量；降低硅溶液溫度，在此降溫過程中繼續(xù)自動(dòng)階段下降回熔單晶回熔，直至回熔單晶的重量達(dá)到恢復(fù)引晶功率單晶重量，將硅溶液的溫度維持在引晶溫度，繼續(xù)回熔單晶回熔，直至回熔單晶回熔完；S3：進(jìn)行穩(wěn)溫、引晶。本發(fā)明的有益效果是采用自動(dòng)化控制，對斷苞后的單晶進(jìn)行階段性回熔，且在每一階段回熔時(shí)，自動(dòng)進(jìn)行單晶是否回熔完判斷，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，提高工作效率，自動(dòng)化程度高。