一種摻鎵裝置、摻鎵系統(tǒng)及使用方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010117508.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113373506A | 公開(公告)日 | 2021-09-10 |
申請公布號 | CN113373506A | 申請公布日 | 2021-09-10 |
分類號 | C30B15/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 楊志;朱毅;烏恩;周澤;王建平;王林;徐強;高潤飛;郭志榮 | 申請(專利權(quán))人 | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 |
代理機構(gòu) | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人 | 欒志超 |
地址 | 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種摻鎵裝置,包括一由硅材料制成的鎵筒主體,鎵筒主體設有容置腔,便于鎵粉的盛裝;一由硅材料制成的連接件,連接件與鎵筒主體連接,便于吊裝。本發(fā)明的有益效果是結(jié)構(gòu)簡單,易加工,且使用該摻鎵裝置進行摻鎵時摻鎵過程方便;摻鎵裝置具有連接件,便于摻鎵裝置通過連接裝置與單晶爐重錘連接在一起,使得摻鎵裝置在單晶爐重錘的作用下進行下降,進行摻鎵。 |
