基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測(cè)器芯片及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111157221.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113594193B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113594193B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/146（2006.01）I;G01J5/20（2006.01）I;G01J1/42（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉偉;王鵬;郭得福;馬仁旺;段程鵬;歐秦偉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 西安中科立德紅外科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孟秀娟;黃健 |
| 地址 | 710117陜西省西安市高新區(qū)畢原二路3000號(hào)硬科技企業(yè)社區(qū)8幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測(cè)器芯片及制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該混合成像探測(cè)器芯片包括基底、反射層和微橋結(jié)構(gòu)，反射層包括相互絕緣且位于同一層的第一反射層和第二反射層；微橋結(jié)構(gòu)包括第一橋梁、第二橋梁和橋面，橋面的電極層包括相互絕緣設(shè)置的第一電極層和第二電極層。本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)使第一電極層與第一反射層和第二反射層中之一連接，第二電極層與第一反射層和第二反射層中另一個(gè)連接，使得第一反射層與第一電極層或者第二電極層上電子均衡，第二反射層與第二電極層或者第一電極層上的電子均衡，防止反射層與電極層之間產(chǎn)生靜電吸附作用，進(jìn)而避免微橋結(jié)構(gòu)發(fā)生坍塌，提高了混合成像探測(cè)器芯片的良率。 |
