一種低溫低成本高純碳化硅超細(xì)微粒的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610371738.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106044774B 公開（公告）日 2018-02-27
申請公布號 CN106044774B 申請公布日 2018-02-27
分類號 C01B32/956 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 張哲娟;孫卓 申請（專利權(quán)）人 賽韞科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海納晶科技有限公司
地址 200062 上海市普陀區(qū)中山北路3663號理科大樓A605
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和太陽能硅材料技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種低溫低成本高純碳化硅超細(xì)微粒的制備方法，選取切割廢料，通過抽真空，通入氬氣，保壓升溫，通入混合氣體，第二次保壓升溫，預(yù)處理，第三次保壓升溫，保溫抽真空，保壓降溫的手段，制備碳化硅粉體。本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比，采用傳統(tǒng)工藝燒結(jié)制備高純碳化硅時(shí)，需要收集后進(jìn)行二次煅燒和提純,尺寸不均勻、一致性較差，且成本較高。本發(fā)明為一步法實(shí)現(xiàn)全碳化的制備工藝，無需燒結(jié)后的分選、提純和二次回?zé)幚怼１景l(fā)明不需要除水過程，還可借助水合硅微粒或含水超細(xì)高純硅微粒的疏松結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)低溫碳化工藝處理，大幅提高現(xiàn)有技術(shù)制備碳化硅微粒的效率和質(zhì)量。