一種降低LETID的P型晶體硅太陽能電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010606899.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111916528B 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN111916528B 申請公布日 2022-06-24
分類號 H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0216 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊智;魏青竹;倪志春;錢洪強;連維飛;張樹德;趙保星 申請（專利權(quán)）人 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 蘇州華博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊敏
地址 215542 江蘇省蘇州市常熟市沙家浜鎮(zhèn)常昆工業(yè)園區(qū)騰暉路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種降低LETID的P型晶體硅太陽能電池的制備方法，包括對P型單晶硅片的正面制絨，和形成磷摻雜面，制備選擇性發(fā)射極；且述P型單晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉積AlOx層；且在所述正面和背面沉積SiNx層；然后對所述P型單晶硅片進行退火工藝。本發(fā)明通過在在SiNx鍍膜后，增加退火步驟，調(diào)節(jié)晶體硅電池內(nèi)氫濃度，降低由過量氫元素造成的的熱輔助光致衰減，進而提高了晶體硅電池封裝組件的輸出功率。