一種鈍化接觸柵線的太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011644553.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114695573A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695573A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙保星;連維飛;張樹德;符欣;魏青竹;倪志春 申請（專利權(quán)）人 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州華博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 215500江蘇省蘇州市常熟市沙家浜鎮(zhèn)常昆工業(yè)園區(qū)騰暉路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及了一種鈍化接觸柵線的太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，鈍化接觸柵線的太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括：p型硅基底層；正面電極，設(shè)于所述p型硅基底層上表面的柵線區(qū)域；鈍化隧穿結(jié)構(gòu)層，設(shè)于所述p型硅基底層、所述正面電極兩者之間，所述鈍化隧穿結(jié)構(gòu)層包括由下至上依次堆疊設(shè)置的氧化硅隧穿層與摻雜多晶硅層；以及正面電池結(jié)構(gòu)，包括：n++擴(kuò)散層，所述n++擴(kuò)散層堆疊設(shè)置于所述p型硅基底層上、且位于所述p型硅基底層上表面的非柵線區(qū)域。通過上述設(shè)置，可解決目前poly?finger技術(shù)制備工藝難度大、poly?finger結(jié)構(gòu)的隧穿接觸效果較差導(dǎo)致電池性能較差的問題。