一種高效異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011643595.4 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114695588A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號(hào) CN114695588A 申請公布日 2022-07-01
分類號(hào) H01L31/0725（2012.01）I;H01L31/074（2012.01）I;H01L31/20（2006.01）I;H01L21/30（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙保星;張樹德;符欣;連維飛;魏青竹;倪志春 申請（專利權(quán)）人 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 215500江蘇省蘇州市常熟市沙家浜鎮(zhèn)常昆工業(yè)園區(qū)騰暉路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及了一種高效異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，高效異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)包括：中間電池結(jié)構(gòu)，設(shè)有n型單晶硅層；正面電池結(jié)構(gòu)，包括依次堆疊設(shè)置的正面本征非晶硅層、p型摻雜氫化氧化硅層以及p型摻雜非晶硅層；以及背面電池結(jié)構(gòu)，包括相反方向依次堆疊設(shè)置的背面本征非晶硅層、n型摻雜氫化氧化硅層以及n型摻雜非晶硅層；其中，p型摻雜非晶硅層、n型摻雜非晶硅層兩者的厚度范圍均為1～5nm，p型摻雜氫化氧化硅層、n型摻雜氫化氧化硅層兩者的厚度范圍均為10～20nm。通過上述設(shè)置，可解決現(xiàn)有的異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)中由于摻雜非晶硅層的厚度與性能兩者矛盾對立導(dǎo)致的電池轉(zhuǎn)換效率低的問題。